COPYRIGHT©廣州慧正云科技有限公司 www.hzeyun.com 粵ICP備18136962號(hào) 增值電信業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)許可證:粵B2-20201000
12月13日，三井化學(xué)與世界領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究與創(chuàng)新中心imec公司簽署了戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)極紫外線(xiàn)（EUV）光刻技術(shù)，并簽署了使用碳納米管（CNT）薄膜的下一代顆粒的商業(yè)化戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議，該顆粒用于極紫外線(xiàn)（EUV）光刻技術(shù)。通過(guò)此次合作，三井化學(xué)將把自己的CNT粒子技術(shù)與imec的CNT粒子基礎(chǔ)技術(shù)相結(jié)合，力爭(zhēng)在2025-2026年之前推出用于高功率EUV光刻技術(shù)的產(chǎn)品。
合作開(kāi)發(fā)下一代EUV薄膜
imec將為三井化學(xué)新一代產(chǎn)品的商業(yè)化提供咨詢(xún)和EUV光刻機(jī)評(píng)估。新一代CNT膠粒旨在保護(hù)光掩膜免受EUV光刻過(guò)程中的污染，并具有優(yōu)異的光學(xué)性能，如高EUV透射率（>94%）和極低的EUV反射率，這對(duì)于先進(jìn)半導(dǎo)體制造中的高產(chǎn)量和高產(chǎn)能至關(guān)重要。
此外，新一代CNT粒子可承受超過(guò)1kW的EUV曝光功率，使其適用于A(yíng)SML光刻機(jī)創(chuàng)新路線(xiàn)圖中的下一代EUV光刻機(jī)（>600 W）。在大批量生產(chǎn)過(guò)程中使用EUV光刻設(shè)備的公司對(duì)這類(lèi)新產(chǎn)品的特性非常感興趣，目前，三井與imec公司正通過(guò)此次合作，希望加速用于下一代EUV光刻技術(shù)的CNT粒子商業(yè)化。
加速布局薄膜業(yè)務(wù)
隨著半導(dǎo)體小型化，EUV光刻機(jī)變得越來(lái)越復(fù)雜，三井化學(xué)希望將新一代薄膜商業(yè)化，以抓住半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)的需求。
此前，三井化學(xué)從旭化成手中收購(gòu)半導(dǎo)體和LCD制造工藝中光掩模用保護(hù)膜業(yè)務(wù)，除了用于前端半導(dǎo)體工藝的EUV薄膜外，還將生產(chǎn)使用深紫外（DUV）光源的光刻工藝中使用的DUV薄膜，并且靈活利用旭化成在這項(xiàng)業(yè)務(wù)方面的知識(shí)。目標(biāo)是通過(guò)在后端工藝中生產(chǎn)用于3D安裝的薄膜來(lái)滿(mǎn)足需求，這將在其薄膜業(yè)務(wù)中創(chuàng)造協(xié)同效應(yīng)。
當(dāng)今最先進(jìn)的半導(dǎo)體光刻工藝使用EUV光源，特別是13.5nm的光。EUV光允許在半導(dǎo)體中構(gòu)建更小的單位特征。據(jù)報(bào)道，EUVL系統(tǒng)目前耗資1.5億美元，由ASML于2019年首次部署，該公司一直保持著100%的市場(chǎng)份額。
據(jù)報(bào)道，EUVL系統(tǒng)目前耗資1.5億美元，由ASML于2019年首次部署，該公司一直保持著100%的市場(chǎng)份額。
慧樂(lè)居歡迎您關(guān)注中國(guó)家居產(chǎn)業(yè)，與我們一起共同討論產(chǎn)業(yè)話(huà)題。
投稿報(bào)料及媒體合作
E-mail：luning@ibuychem.com
COPYRIGHT©廣州慧正云科技有限公司 www.hzeyun.com 粵ICP備18136962號(hào) 增值電信業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)許可證:粵B2-20201000
